SIR158DP 晶体管 - FET，MOSFET - 单：
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 1.8 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 130nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4980pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 83W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PowerPAK® SO-8
封装/外壳 PowerPAK® SO-8
MAX933ESA 线性 - 比较器：
MAX933ESA 线性 - 比较器：
类型 带电压基准
元件数 2
输出类型 CMOS，TTL
电压 - 电源，单/双（±） 2.5V ~ 11V，±1.25V ~ 5.5V
电压 - 输入失调（最大值） 10mV @ 5V
电流 - 输入偏置（最大值） -
电流 - 输出（典型值） 0.015mA @ 5V
电流 - 静态（最大值） 6µA
CMRR，PSRR（典型值） 80dB CMRR，80dB PSRR
传播延迟（最大值） 12µs
滞后 50mV
工作温度 -40°C ~ 85°C
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 8-SOIC
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